10月16日，市场调研机构TrendForce在“AI 时代半导体全局展开──2025 科技产业大预测”研讨会上指出，随着全球前三大HBM厂商持续扩大产能，预计2025年全球HBM产能将同比大涨117%。

TrendForce 分析师王豫琪表示，从HBM产品类型来看，由于英伟达（NVIDIA）自Blackwell GPU开始，新产品会逐步转往12 层HBM3e，明年HBM3e 将取代HBM3 成主流产品，占整体HBM市场需求的89%。由于HBM3e 平均售价（ASP）大约是传统DRAM产品的3-5倍，随着HBM3e产能的持续扩张，营收贡献将逐季增长。

目前SK海力士、美光、三星这三大存储芯片厂商的12 层HBM3e 都在向英特尔送样验证阶段，预期后续验证完成、良率提升后，出货量将大幅提升。

对于NAND Flash市场，TrendForce 研究经理敖国锋表示，NAND Flash 供应商经历2023 年巨额亏损后，资本支出转趋保守。同时，DRAM 和HBM 等存储产品需求受惠AI 浪潮，将排挤2025年NAND Flash 设备投资，使过去严重供过于求的市况将有所缓解。不过，AI 应用对高速、大容量储存的需求日益增加，也将推动Enterprise SSD (eSSD) 市场的蓬勃发展。

编辑：芯智讯-林子

10月16日，市场调研机构TrendForce在“AI 时代半导体全局展开──2025 科技产业大预测”研讨会上指出，随着全球前三大HBM厂商持续扩大产能，预计2025年全球HBM产能将同比大涨117%。

TrendForce 分析师王豫琪表示，从HBM产品类型来看，由于英伟达（NVIDIA）自Blackwell GPU开始，新产品会逐步转往12 层HBM3e，明年HBM3e 将取代HBM3 成主流产品，占整体HBM市场需求的89%。由于HBM3e 平均售价（ASP）大约是传统DRAM产品的3-5倍，随着HBM3e产能的持续扩张，营收贡献将逐季增长。

目前SK海力士、美光、三星这三大存储芯片厂商的12 层HBM3e 都在向英特尔送样验证阶段，预期后续验证完成、良率提升后，出货量将大幅提升。

对于NAND Flash市场，TrendForce 研究经理敖国锋表示，NAND Flash 供应商经历2023 年巨额亏损后，资本支出转趋保守。同时，DRAM 和HBM 等存储产品需求受惠AI 浪潮，将排挤2025年NAND Flash 设备投资，使过去严重供过于求的市况将有所缓解。不过，AI 应用对高速、大容量储存的需求日益增加，也将推动Enterprise SSD (eSSD) 市场的蓬勃发展。

编辑：芯智讯-林子